单晶硅清洗用水设备-北京多晶硅清洗用水设备

　单晶硅清洗用水设备-北京多晶硅清洗用水设备

　　连续电除盐(EDIElectro-de-ionization)技术是二十世纪八十年代以来逐渐兴起的新技术。经过十几年的发展，EDI技术已经在电子、制药和发电等行业被广泛的应用。超纯水设备将离子交换树脂充夹在阴/阳交换膜之间形成EDI单元，利用阴离子交换膜只允许阴离子透过，不允许阳离子透过，而阳离子交换膜只允许阳离子透过，不允许阴离子透过的特性，在直流电的推动下，使淡水室水流中的阴阳离子分别穿过阴阳离子交换膜进入到浓水室而被从淡水中去除，从而得到超纯水。

　　超纯水设备优点

　　1、连续运行，产品水质稳定。

　　2、无须用酸碱再生。

　　3、不会因再生而停机。

　　4、节省了反冲和清洗用水。

　　5、以高产率产生超纯水。

　　6、无再生污水，不须污水处理设施。

　　7、无须酸碱储备和酸碱稀释运输设施。

　　8、减小车间建筑面积。

　　9、使用安全可靠，避免工人接触酸碱。

　　10、减低运行及维修成本。

　　11、安装简单、安装费用低廉。

　　超纯水设备进水条件

　　氧化剂：活性氯(Cl2)小于0.05ppm，建议检测不出;臭氧(O3)小于0.02ppm，建议检测不出。

　　重金属离子：小于0.01ppmFe、Mn、变价性金属离子。

　　硅：小于0.5ppm，反渗透RO产水典型范围是50～150ppb。

　　总CO2：小于5ppm，高于10ppm时，产水品质很大程度依赖于CO2水平和pH值。

　　颗粒：建议直接采用反渗透RO产水，或经1um滤芯过滤后的产水进入EDI系统。

　　水源：反渗透RO产水，电导率：1-20S/cm。最佳电导率：2-10S/cm，最佳导电率：50S(NaCl)。PH值：5.5～9.5(pH7.0至8.0之间EDI有最佳电导率性能)。

　　温度：15～35℃，最佳温度在25℃。

　　进水压力：0.20～0.4MPa，D1端压力比C1端压力高0.05～0.1MPa，模块压力将取决于流量和温度。

　　出水压力：产水端(D2)压力比浓水端(C2)压力高0.05～0.1MPa。

　　硬度：小于1.0ppm(在90%回收率时)，以CaCO3计。

　　有机物：TOC小于0.5ppm，建议检测不出。